6英寸氮化镓厚膜晶片（镁掺）

规格：GaN-T-C-P-C150 尺寸：Ф 150 ± 0.2 mm 厚度：4.5 ± 0.5 μm / < 3% 电阻率(300k)：< 10Ω·cm

零售价

0.0

元

市场价

0.0

元

浏览量:

1000

产品编号

数量

库存:

所属分类

返回产品中心



资质荣誉专利成果

产品描述

参数

上一个

无

下一个

无

6英寸氮化镓厚膜晶片（镁掺）

分类:

产品规格书

文件大小:

133KB

时间:

2022-10-21 09:55:00

6英寸氮化镓厚膜晶片（镁掺）

分类:

产品规格书

文件大小:

133KB

2022-10-21 09:55:00

4英寸自支撑氮化镓晶片（非掺）
规格：GaN-FS-C-U-C100 尺寸：Ф 100 ± 0.1 mm 厚度：650 ± 50 μm 电阻率(300k)：< 0.5 Ω*cm
4英寸自支撑氮化镓晶片（铁掺）
规格：GaN-FS-C-SI-C100 尺寸：Ф 100 ±1 mm 厚度：420 ±50μm 电阻率(300k)：>1×10⁹Ω*cm
2英寸自支撑氮化镓晶片（非掺）
规格：GaN-FS-C-U-C50 尺寸：Ф 50.8 ± 1 mm 厚度：350 ± 25 μm 电阻率(300k)：< 0.5 Ω*cm
2英寸自支撑氮化镓晶片（硅掺）
规格：GaN-FS-C-N-C50 尺寸：Ф 50.8 ± 1 mm 厚度：350 ± 25 μm 电阻率(300k)：< 0.05 Ω*cm
2英寸自支撑氮化镓晶片（铁掺）
规格：GaN-FS-C-SI-C50 尺寸：Ф 50.8 ± 1 mm 厚度：350 ± 25 μm 电阻率(300k)：> 1 x 10⁶ Ω*cm
10*10.5mm²自支撑氮化镓晶片（非掺）
规格：GaN-FS-C-U-S10 尺寸：Ф 10 x 10.5 mm² 厚度：350 ± 25 µm 电阻率(300k)：< 0.5 Ω·cm
10*10.5mm²自支撑氮化镓晶片（硅掺）
规格：GaN-FS-C-N-S10 尺寸：Ф 10 x 10.5 mm² 厚度：350 ± 25 µm 电阻率(300k)：< 0.05 Ω·cm
10*10.5mm²自支撑氮化镓晶片（铁掺）
规格：GaN-FS-C-SI-S10 尺寸：Ф 10 x 10.5 mm² 厚度：350 ± 25 µm 电阻率(300k)：> 10⁶ Ω·cm
5*10mm²非极性氮化镓自支撑衬底A-plane（UID/N/SI)
规格：GaN-FS-A-U-S 尺寸：Ф 5 x 10 mm² 厚度：350 ± 25 µm 电阻率(300k)：< 0.5 Ω·cm
5*10mm²非极性氮化镓自支撑衬底M-plane（UID/N/SI)
规格：GaN-FS-M-U-S 尺寸：Ф 5 x 10 mm² 厚度：350 ± 25 µm 电阻率(300k)：< 0.5 Ω·cm
5*10mm²半极性氮化镓自支撑衬底Semi-polar-(10-11)plane（UID/N/SI)
规格：GaN-FS-SP-U-S 尺寸：Ф 5 x 10 mm² 厚度：350 ± 25 µm 电阻率(300k)：< 0.5 Ω·cm
5*10mm²半极性氮化镓自支撑衬底Semi-polar-(11-22)plane（UID/N/SI)
规格：GaN-FS-SP-U-S 尺寸：Ф 5 x 10 mm² 厚度：350 ± 25 µm 电阻率(300k)：< 0.5 Ω·cm
5*10mm²半极性氮化镓自支撑衬底Semi-polar-(20-2-1)plane（UID/N/SI)
规格：GaN-FS-SP-U-S 尺寸：Ф 5 x 10 mm² 厚度：350 ± 25 µm 电阻率(300k)：<0.5Ω·cm
6英寸氮化镓厚膜晶片（非掺）
规格：GaN-T-C-U-C150 尺寸：Ф 150 ± 0.2 mm 厚度：4.5 ± 0.5 μm / < 4% 电阻率(300k)：> 0.5 Ω·cm
6英寸氮化镓厚膜晶片（硅掺）
规格：GaN-T-C-N-C150 尺寸：Ф 150 ± 0.2 mm 厚度：4.5 ± 0.5 μm / < 4% 电阻率(300k)：< 0.05 Ω·cm
6英寸氮化镓厚膜晶片（镁掺）
规格：GaN-T-C-P-C150 尺寸：Ф 150 ± 0.2 mm 厚度：4.5 ± 0.5 μm / < 3% 电阻率(300k)：< 10Ω·cm
4英寸氮化镓厚膜晶片（非掺）
规格：GaN-T-C-U-C100 尺寸：Ф 100 ± 0.2 mm 厚度：4.5 ± 0.5 μm / < 3% 电阻率(300k)：> 0.5 Ω·cm
4英寸氮化镓厚膜晶片（硅掺）
规格：GaN-T-C-N-C100 尺寸：Ф 100 ± 0.2 mm 厚度：4.5 ± 0.5 μm / < 3% 电阻率(300k)：< 0.05 Ω·cm
4英寸氮化镓厚膜晶片（镁掺）
规格：GaN-T-C-P-C100 尺寸：Ф 100 ± 0.2 mm 厚度：4.5 ± 0.5 μm / < 3% 电阻率(300k)：< 10 Ω·cm
2英寸氮化镓厚膜晶片（非掺）
规格：GaN-T-C-U-C50 尺寸：Ф 50.8 ± 0.2 mm 厚度：4.5 ± 0.5 μm / < 3% 电阻率(300k)：> 0.5 Ω·cm