资讯中心

Information Center

您现在的位置：

/

/

2018

2018

分类：发展历史
作者：
来源：
发布时间：2022-09-26
访问量：0

【概要描述】Ø 4 inch量产技术，Ø 6inch关键技术。
研发水平位错密度10³cm⁻²。

2018

【概要描述】Ø 4 inch量产技术，Ø 6inch关键技术。
研发水平位错密度10³cm⁻²。

分类：发展历史
作者：
来源：
发布时间：2022-09-26
访问量：0

详情

2英寸GaN单晶衬底的位错密度获得国际认可；完成了4英寸GaN单晶衬底；开展了6英寸GaN单晶衬底的研发

扫二维码用手机看

上一个: 2016

下一个: 2022

上一个: 2016

下一个: 2022

相关新闻

苏州纳维总部大楼建设正式启动

2022-09-26

典型GaN射频器件的工艺流程

2022-09-26

氮化镓X波段氮化镓放大器和阻塞转换器的新进展

2022-09-26

【显示资讯DisplayTimes】韩国KAIST研发软性垂直Micro LED 可用于刺激、活化脑部并控制行为

2022-09-26

联系我们

地址：苏州工业园区金鸡湖大道99号苏州纳米城西北区20幢518室

客服：

任小姐：17712482910

邮箱：renjing@nanowin.com.cn
销售总监：
戴冬云：15962257010
邮箱：daidongyun@nanowin.com.cn

在线留言

留言应用名称：

客户留言

描述：

姓名：

电话：

邮箱：

地址：

留言内容：

* 验证码：

验证码

Copyright © 2022 苏州纳维科技有限公司苏ICP备11034975号-1

苏ICP备11034975号-1