大功率器件专用氮化镓单晶衬底

GaN SINGLE CRYSTAL SUBSTRATE FOR HIGH POWER DEVICES

产品中心

Products Center

4英寸自支撑氮化镓晶片（非掺）

规格：GaN-FS-C-U-C100 尺寸：Ф 100 ± 0.1 mm 厚度：650 ± 50 μm 电阻率(300k)：< 0.5 Ω*cm

4英寸自支撑氮化镓晶片（铁掺）

规格：GaN-FS-C-SI-C100 尺寸：Ф 100 ±1 mm 厚度：420 ±50μm 电阻率(300k)：>1×10⁹Ω*cm

2英寸自支撑氮化镓晶片（非掺）

规格：GaN-FS-C-U-C50 尺寸：Ф 50.8 ± 1 mm 厚度：350 ± 25 μm 电阻率(300k)：< 0.5 Ω*cm

4英寸自支撑氮化镓晶片（非掺）

规格：GaN-FS-C-U-C100 尺寸：Ф 100 ± 0.1 mm 厚度：650 ± 50 μm 电阻率(300k)：< 0.5 Ω*cm

4英寸自支撑氮化镓晶片（铁掺）

规格：GaN-FS-C-SI-C100 尺寸：Ф 100 ±1 mm 厚度：420 ±50μm 电阻率(300k)：>1×10⁹Ω*cm

2英寸自支撑氮化镓晶片（非掺）

规格：GaN-FS-C-U-C50 尺寸：Ф 50.8 ± 1 mm 厚度：350 ± 25 μm 电阻率(300k)：< 0.5 Ω*cm

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专业的高质量氮化镓衬底供应商

苏州纳维科技有限公司致力于第三代半导体核心关键材料——氮化镓（GaN）单晶衬底的研发与产业化，经过15年努力，实现了2英寸氮化镓单晶衬底的生产、完成了4英寸产品的工程化技术开发、突破了6英寸的关键技术，现在是国内和国际少数几家之一能够批量提供2英寸氮化镓单晶产品的单位；氮化镓产品性能综合指标国际领先，未来3年重点实现将技术先发优势转化为在全球的市场优势。

苏州纳维科技有限公司成立于2007年，专注于高质量氮化镓半导体单晶材料的生长。氮化镓是第三代半导体的代表，它是节能照明、激光投影显示、智能电网、新能源汽车、5G通信等产业的核心基础材料，预计到未来将形成万亿美元以上的市场规模。

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